【CNMO科技动静】5月22日，据半导体行业动静，三星电子于3月尾启动第八代V-NAND（V8）量产后，已经着手于中国西安工场举行第九代V-NAND（V9）的出产线转换事情，干净室设置装备摆设已经进入预备阶段。 据悉，三星电子正加快将西安工场转为高重叠层数V-NAND出产线。于完成从128层V6向236层V8的转换投资后，该工场已经在3月30日进入V8的批量出产阶段。行业阐发认为，V6产物于该工场的产能比例已经基本缩减或者进入扫尾阶段。 为推进NAND技能转换，三星电子于中国的投资范围连续扩展。据上海半导体质料立异同盟（ICMIC）数据，2025年三星电子对于西安工场的投资额估计约3.04亿美元（约合4654亿韩元），较上年增加约67.5%。 三星电子规划于年内完成286层V9的投资，并启动量产预备事情。今朝，为构建V9出产线而举行的干净室工程正于筹办中，估计相干举措措施落成并正式启用V9产线的时间点将于2027年。届时，V8与V9产线将以共存情势运营一段时间。 CNMO科技相识到，西安工场是三星电子全世界NAND出产的焦点基地，占其全世界NAND总产能的约40%。据估算，2025年该工场实现发卖额约8.64万亿韩元，净利润约1.11万亿韩元。 版权所有，未经许可不患上转载
三星电子西安工场
三星电子第九代V-NAND
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